Name: ISZ330N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ330N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ISZ330N12LM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISZ330N12LM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISZ330N12LM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISZ330N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISZ330N12LM6ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 5,7 A (Ta), 24 A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 11µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 60 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 43W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,7 A (Ta), 24 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3,3V, 10V	Codice componente base ISZ330
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 9A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ISC320N12LM6ATMA1	Infineon Technologies	4’343	448-ISC320N12LM6ATMA1CT-ND	Fr. 1.18000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.39000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.50259

ISZ330N12LM6ATMA1