MT47H128M4SH-25E:H TR Micron Technology Inc. | Memoria

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MT47H128M4SH-25E:H TR
Codice DigiKey	MT47H128M4SH-25E:HTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Micron Technology Inc.
Codice produttore	MT47H128M4SH-25E:H TR
Descrizione	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	SDRAM - DDR2 Memoria IC 512Mbit Parallelo 400 MHz 400 ps 60-FBGA (8x10)

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Categoria Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria	Interfaccia di memoria Parallelo
Produttore Micron Technology Inc.	Frequenza di clock 400 MHz
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns
Stato componente Obsoleto	Tempo di accesso 400 ps
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tensione - Alimentazione 1,7 ~ 1,9V
Tipo di memoria Volatile	Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Formato memoria DRAM	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SDRAM - DDR2	Contenitore/involucro 60-TFBGA
Dimensioni memoria 512Mbit	Contenitore del fornitore 60-FBGA (8x10)
Organizzazione della memoria 128M x 4	Codice componente base MT47H128M4

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