8-VDFN Exposed Pad
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8-VDFN Exposed Pad
8-VDFN Exposed Pad
Nexperia- e-mode GaN FETs | First Look

GAN080-650EBEZ

Codice DigiKey
1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
GAN080-650EBEZ
Descrizione
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili DFN8080-8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
29 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 8A, 6V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 30,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
225 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
240W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
DFN8080-8
Contenitore/involucro
8-VDFN piazzola esposta
Codice componente base
GAN080
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 9.97000Fr. 9.97
10Fr. 6.86100Fr. 68.61
50Fr. 5.53100Fr. 276.55
100Fr. 5.10360Fr. 510.36
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 3.14400Fr. 7’860.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 9.97000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 10.77757
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