PMV20ENR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale N 30 V 6 A (Ta) 510mW (Ta), 6,94W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV20ENR
Codice DigiKey	1727-2301-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2301-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2301-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV20ENR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6 A (Ta) 510mW (Ta), 6,94W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV20ENR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 435 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta), 6,94W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 21mohm a 6A, 10V	Codice componente base PMV20

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDN537N	onsemi	10’424	FDN537NCT-ND	Fr. 0.88000	Simile
TSM240N03CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	40’911	TSM240N03CXRFGCT-ND	Fr. 0.50000	Simile

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