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onsemi
In magazzino: 9’156
Prezzo unitario : Fr. 0.66000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 29’890
Prezzo unitario : Fr. 0.62000
Scheda tecnica
Canale N 20 V 4,7 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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PMV28UNEAR

Codice DigiKey
1727-2530-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-2530-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-2530-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
PMV28UNEAR
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 4,7 A (Ta) 510mW (Ta), 3,9W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Produttore
Vgs (max)
±8V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 10 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
510mW (Ta), 3,9W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Contenitore del fornitore
TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs
32mohm a 4,7A, 4,5V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDN028N20onsemi9’156FDN028N20OSCT-NDFr. 0.66000Simile
FDN339ANonsemi29’890FDN339ANCT-NDFr. 0.62000Simile
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