2SK3666-3-TB-E onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

2SK3666-3-TB-E è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.34000

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2SK3666-3-TB-E
Codice DigiKey	869-1107-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	2SK3666-3-TB-E
Descrizione	JFET N-CH 10MA SMCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	JFET Canale N 10 mA 200 mW A montaggio superficiale SMCP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SK3666-3-TB-E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor JFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)	1.2 mA @ 10 V
Drain di corrente (Id) - Max	10 mA
Tensione - Soglia (VGS off) a Id	180 mV @ 1 µA
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4pF a 10V
Resistenza - RDSon	200 Ohms
Potenza - Max	200 mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SMCP
Codice componente base	2SK3666