FDMS8020 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMS8020
Codice DigiKey	FDMS8020TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS8020
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 26 A (Ta), 42 A (Tc) 2,5W (Ta), 65W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 61 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 65W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 26 A (Ta), 42 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS80
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 26A, 10V

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	25’472	BSC0901NSATMA1CT-ND	Fr. 1.08000	Simile
BSZ0901NSIATMA1	Infineon Technologies	6’724	BSZ0901NSIATMA1CT-ND	Fr. 1.43000	Simile
CSD17575Q3T	Texas Instruments	228	296-37961-1-ND	Fr. 1.67000	Simile
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3’394	296-43635-1-ND	Fr. 1.55000	Simile
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	Fr. 1.87000	Simile