FFSM0865A onsemi | Diodi singoli

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FFSM0865A
Codice DigiKey	488-FFSM0865ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FFSM0865ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FFSM0865ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FFSM0865A
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 9,6A A montaggio superficiale 4-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Produttore onsemi	Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 650 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 463pF a 1V, 100kHz
Stato componente Obsoleto	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore del fornitore 4-PQFN (8x8)
Corrente - Media rettificata (Io) 9,6A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.75 V @ 8 A	Codice componente base FFSM0865
Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)

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In magazzino: 3’000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 1.73512	Fr. 5’205.36

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.87531

FFSM0865A