MMBTA56LT1G-HFE onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

MMBTA56LT1G-HFE è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

onsemi

In magazzino: 103’793

Prezzo unitario : Fr. 0.13000

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 8’792

Prezzo unitario : Fr. 0.42000

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 1’717

Prezzo unitario : Fr. 0.42000

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 4’860

Prezzo unitario : Fr. 0.46000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

MMBTA56LT1G-HFE
Codice DigiKey	MMBTA56LT1G-HFE-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	MMBTA56LT1G-HFE
Descrizione	TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 80 V 500 mA 50MHz 225 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMBTA56LT1G-HFE Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	PNP
Corrente - Collettore (Ic) max	500 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	250mV a 10mA, 100mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	100 a 100mA, 1V
Potenza - Max	225 mW
Frequenza - Transizione	50MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	MMBTA56