NDS356P onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NDS356P è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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NDS356P
Codice DigiKey	NDS356PTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NDS356P
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,1 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	210mohm a 1,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	180 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	NDS356