NSVMMUN2114LT3G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NSVMMUN2114LT3G
Codice DigiKey	NSVMMUN2114LT3G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NSVMMUN2114LT3G
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 246 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NSVMMUN2114LT3G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	PNP - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max	100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50 V
Resistori inclusi	R1 e R2
Resistore - Base (R1)	10 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)	47 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 5mA, 10V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	250mV a 300µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Potenza - Max	246 mW
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Codice componente base	MMUN2114