NTMFS4C03NT3G onsemi | FET, MOSFET singoli

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NTMFS4C03NT3G
Codice DigiKey	488-NTMFS4C03NT3GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMFS4C03NT3GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS4C03NT3G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Ta), 136 A (Tc) 3,1W (Ta), 64W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 45.2 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3071 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 64W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Ta), 136 A (Tc)	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 30A, 10V	Codice componente base NTMFS4

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTMFS4C03NT1G	onsemi	2	NTMFS4C03NT1GOSCT-ND	Fr. 0.86000	Equivalente parametrico
NVMFS4C03NT1G	onsemi	645	NVMFS4C03NT1GOSCT-ND	Fr. 2.42000	Equivalente parametrico
NVMFS4C03NWFT1G	onsemi	1’382	488-NVMFS4C03NWFT1GCT-ND	Fr. 2.36000	Equivalente parametrico

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.65461	Fr. 3’273.05
10’000	Fr. 0.63294	Fr. 6’329.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.08000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.24848

NTMFS4C03NT3G