NTR1P02T1 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTR1P02T1 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.40000

Equivalente parametrico

onsemi

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NTR1P02T1
Codice DigiKey	NTR1P02T1OS-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTR1P02T1
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1 A (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTR1P02T1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	165 pF @ 5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	NTR1P0