Canale P 30 V 15,8A (Ta), 100A (Tc) 2W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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PJD100P03_L2_00001

Codice DigiKey
3757-PJD100P03_L2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJD100P03_L2_00001
Descrizione
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore
52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 15,8A (Ta), 100A (Tc) 2W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
107 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6067 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
90’000Fr. 0.29446Fr. 26’501.40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.29446
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.31831