Name: PJQ4576AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4576AP-AU_R2_002A1TR-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

Canale N 100 V 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8

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PJQ4576AP-AU_R2_002A1
Codice DigiKey	3757-PJQ4576AP-AU_R2_002A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ4576AP-AU_R2_002A1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ4576AP-AU_R2_002A1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ4576AP-AU_R2_002A1
Descrizione	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DFN3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Produttore Panjit International Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1009 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
RDSon (max) a Id, Vgs 17mohm a 10A, 10V	Contenitore del fornitore DFN3333-8
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN