MOSFET - Array 40V 9,5A (Ta), 40A (Tc) 2W (Ta), 38,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060B-8
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PJQ5846-AU_R2_000A1

Codice DigiKey
3757-PJQ5846-AU_R2_000A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJQ5846-AU_R2_000A1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 9.5A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 9,5A (Ta), 40A (Tc) 2W (Ta), 38,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060B-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22nC a 10V
Produttore
Panjit International Inc.
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1258pF a 25V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Potenza - Max
2W (Ta), 38,5W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Grado
Automobilistico
Configurazione
2 canali N (doppio)
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,5A (Ta), 40A (Tc)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs
10,5mohm a 8A, 10V
Contenitore del fornitore
DFN5060B-8
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.43625Fr. 1’308.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.43625
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.47159