
PJQ5846-AU_R2_000A1 | |
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Codice DigiKey | 3757-PJQ5846-AU_R2_000A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PJQ5846-AU_R2_000A1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 9.5A 8DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 9,5A (Ta), 40A (Tc) 2W (Ta), 38,5W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060B-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 10V |
Produttore Panjit International Inc. | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1258pF a 25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 2W (Ta), 38,5W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,5A (Ta), 40A (Tc) | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 8A, 10V | Contenitore del fornitore DFN5060B-8 |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.43625 | Fr. 1’308.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.43625 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.47159 |

