Name: HIP2211FBZ-T
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 20-HIP2211FBZ-TTR-ND
Price: 1.7296 CHF
Availability: InStock

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HIP2211FBZ-T
Codice DigiKey	20-HIP2211FBZ-TTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 20-HIP2211FBZ-TCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 20-HIP2211FBZ-TDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	HIP2211FBZ-T
Descrizione	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Semiponte Driver gate IC Non invertente 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver	Tensione logica - VIL, VIH 1,47V, 1,84V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Corrente - Uscita di picco (source, drain) 3A, 4A
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tipo di ingresso Non invertente
Stato componente Attivo	Tensione high-side - Max (bootstrap) 115 V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tempo di salita/discesa (tip.) 20ns, 20ns
Configurazione comandata Semiponte	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di canale Indipendente	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
N. di driver 2	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tipo di gate MOSFET (canale N)	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Tensione - Alimentazione 6 ~ 18V	Codice componente base HIP2211

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In magazzino: 719

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.72960

HIP2211FBZ-T