Name: RF4E060AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E060AJTCRTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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RF4E060AJTCR
Codice DigiKey	RF4E060AJTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4E060AJTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4E060AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4E060AJTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RF4E060AJTCR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 450 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 6A, 4,5V	Codice componente base RF4E060

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.83000	Fr. 0.83

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.89723

RF4E060AJTCR