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RS1E300GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-RS1E300GNTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E300GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RS1E300GNTB Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 39.8 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2500 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 33W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-HSOP |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E301GNTB1 | Rohm Semiconductor | 2’379 | RS1E301GNTB1CT-ND | Fr. 2.23000 | Simile |
| BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 2’015 | BSC025N03LSGATMA1CT-ND | Fr. 1.50000 | Simile |
| BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | 0 | BSZ019N03LSATMA1CT-ND | Fr. 1.64000 | Simile |
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | 3’394 | 296-43635-1-ND | Fr. 1.55000 | Simile |
| FDMS0306AS | onsemi | 0 | FDMS0306ASCT-ND | Fr. 0.36518 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.39229 | Fr. 980.73 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.39229 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.42407 |
