Name: RSQ030N08HZGTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSQ030N08HZGTR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: InStock

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RSQ030N08HZGTR
Codice DigiKey	846-RSQ030N08HZGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-RSQ030N08HZGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-RSQ030N08HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSQ030N08HZGTR
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 3 A (Ta) 950mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.5 nC @ 5 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 950mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 131mohm a 3A, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base RSQ030

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.10262

RSQ030N08HZGTR