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S2M0160120J | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1655-S2M0160120J-ND |
Produttore | |
Codice produttore | S2M0160120J |
Descrizione | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 16 A (Tc) 122W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 196mohm a 10A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 2,5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 122W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263-7 | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 296
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.08000 | Fr. 5.08 |
| 10 | Fr. 3.41500 | Fr. 34.15 |
| 100 | Fr. 2.46980 | Fr. 246.98 |
| 500 | Fr. 2.06688 | Fr. 1’033.44 |
| 1’000 | Fr. 2.01940 | Fr. 2’019.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.49148 |
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