Name: CSD19506KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19506KTTTTR-ND
Price: 6.64815 CHF
Availability: InStock

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CSD19506KTTT
Codice DigiKey	296-CSD19506KTTTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-CSD19506KTTTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-CSD19506KTTTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19506KTTT
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19506KTTT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,2V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 156 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12200 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore TO-263 (DDPAK-3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19506
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 100A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 6.15000	Fr. 6.15
10	Fr. 4.16300	Fr. 41.63

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.64815

CSD19506KTTT