Name: TK10E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10E60WS1VX-ND
Price: 3.98889 CHF
Availability: InStock

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TK10E60W,S1VX
Codice DigiKey	TK10E60WS1VX-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK10E60W,S1VX
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 9,7 A (Ta) 100W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK10E60W,S1VX Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 4,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	700 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	TK10E60

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.69000	Fr. 3.69
50	Fr. 1.90820	Fr. 95.41
100	Fr. 1.73580	Fr. 173.58
500	Fr. 1.43386	Fr. 716.93
1’000	Fr. 1.36900	Fr. 1’369.00

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