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TK50P03M1(T6RSS-Q) è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TK50P03M1(T6RSS-Q) | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK50P03M1(T6RSSQ)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK50P03M1(T6RSS-Q) |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A DP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 50 A (Ta) 47W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Modelli EDA/CAD | TK50P03M1(T6RSS-Q) Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,5mohm a 25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 200µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1700 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera