TPH2R903PL,L1Q
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TPH1R712MD,L1Q

Codice DigiKey
TPH1R712MDL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TPH1R712MDL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TPH1R712MD,L1Q
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 60 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TPH1R712MD,L1Q Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVI
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 30A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
182 nC @ 5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
10900 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
TPH1R712
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In magazzino: 38’633
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.62000Fr. 1.62
10Fr. 1.03800Fr. 10.38
100Fr. 0.70120Fr. 70.12
500Fr. 0.55726Fr. 278.63
1’000Fr. 0.52510Fr. 525.10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.42900Fr. 2’145.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.62000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.75122
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