1N6483-E3/97 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Equivalente parametrico

1N6483-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5’990
Prezzo unitario : Fr. 0.34000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

1N6483HE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

1N6483HE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
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In magazzino: 2’672
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Scheda tecnica
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DO-213AB
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1N6483-E3/97

Codice DigiKey
1N6483-E3/97-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
1N6483-E3/97
Descrizione
DIODE STANDARD 800V 1A DO213AB
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 800 V 1A A montaggio superficiale DO-213AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
1N6483-E3/97 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
SUPERECTIFIER®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.1 V @ 1 A
Velocità
Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 µA @ 800 V
Capacità a Vr, F
8pF a 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-213AB, MELF (Vetro)
Contenitore del fornitore
DO-213AB
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65°C ~ 175°C
Codice componente base
1N6483
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.09031Fr. 903.10
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.09031
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.09763