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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
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BAV19WS-HE3_A-08 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-BAV19WS-HE3_A-08TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BAV19WS-HE3_A-08 |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323 |
Tempi di consegna standard del produttore | 93 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 200mA A montaggio superficiale SOD-323 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 100 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 1,5pF a 0V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Tipo di montaggio |
Corrente - Media rettificata (Io) 200mA | Contenitore/involucro |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.25 V @ 200 mA | Contenitore del fornitore SOD-323 |
Velocità Piccoli segnali =< 200mA (Io), qualsiasi velocità | Temp. di funzionamento - Giunzione 150°C |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BAV19WS-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BAV19WS-HE3_A-18TR-ND | Fr. 0.06456 | Equivalente parametrico |
| BAV19WS-HG3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BAV19WS-HG3_A-08TR-ND | Fr. 0.06137 | Equivalente parametrico |
| BAV19WS-HG3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BAV19WS-HG3_A-18TR-ND | Fr. 0.06456 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15’000 | Fr. 0.06250 | Fr. 937.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.06250 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.06756 |
