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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 85’734
Prezzo unitario : Fr. 0.61000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’163
Prezzo unitario : Fr. 0.61000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.13436
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.65000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’500
Prezzo unitario : Fr. 0.65000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14540
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.12559
Scheda tecnica
Simile
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BYG20J-M3/TR3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYG20J-M3/TR3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYG20J-M3/TR3 |
Descrizione | DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 75 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 600 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.4 V @ 1.5 A | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG20J-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 85’734 | BYG20J-E3/TRGICT-ND | Fr. 0.61000 | Equivalente parametrico |
| BYG20J-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’163 | BYG20J-E3/TR3GICT-ND | Fr. 0.61000 | Equivalente parametrico |
| BYG20J-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG20J-M3/TR-ND | Fr. 0.13436 | Equivalente parametrico |
| BYG20JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYG20JHE3_A/HCT-ND | Fr. 0.65000 | Equivalente parametrico |
| BYG20JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’500 | 112-BYG20JHE3_A/ICT-ND | Fr. 0.65000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15’000 | Fr. 0.13436 | Fr. 2’015.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.13436 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.14524 |
