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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 73’703
Prezzo unitario : Fr. 0.88000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’941
Prezzo unitario : Fr. 0.88000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10’383
Prezzo unitario : Fr. 0.91000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’380
Prezzo unitario : Fr. 0.92000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’317
Prezzo unitario : Fr. 0.92000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.22866
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.22866
Scheda tecnica
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BYG22D-M3/TR3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYG22D-M3/TR3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYG22D-M3/TR3 |
Descrizione | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 2A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Corrente - Media rettificata (Io) 2A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 2 A | Codice componente base |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 73’703 | BYG22D-E3/GICT-ND | Fr. 0.88000 | Equivalente parametrico |
| BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’941 | BYG22D-E3/TR3GICT-ND | Fr. 0.88000 | Equivalente parametrico |
| BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10’383 | 112-BYG22D-M3/TRCT-ND | Fr. 0.91000 | Equivalente parametrico |
| BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG22DHE3/GITR-ND | Fr. 0.00000 | Equivalente parametrico |
| BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’380 | BYG22DHE3_A/HGICT-ND | Fr. 0.92000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15’000 | Fr. 0.21570 | Fr. 3’235.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.21570 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.23317 |
