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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 73’703
Prezzo unitario : Fr. 0.88000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’941
Prezzo unitario : Fr. 0.88000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10’383
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.21570
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’380
Prezzo unitario : Fr. 0.92000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’317
Prezzo unitario : Fr. 0.92000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.22866
Scheda tecnica
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BYG22DHM3_A/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYG22DHM3_A/H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYG22DHM3_A/H |
Descrizione | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 2A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 200 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 2A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 2 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 73’703 | BYG22D-E3/GICT-ND | Fr. 0.88000 | Equivalente parametrico |
| BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’941 | BYG22D-E3/TR3GICT-ND | Fr. 0.88000 | Equivalente parametrico |
| BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10’383 | 112-BYG22D-M3/TRCT-ND | Fr. 0.91000 | Equivalente parametrico |
| BYG22D-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG22D-M3/TR3-ND | Fr. 0.21570 | Equivalente parametrico |
| BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG22DHE3/GITR-ND | Fr. 0.00000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 9’000 | Fr. 0.22866 | Fr. 2’057.94 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.22866 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.24718 |
