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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 15’559
Prezzo unitario : Fr. 0.36000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.36000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 14’750
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.04936
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 11’908
Prezzo unitario : Fr. 0.35000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.05982
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’543
Prezzo unitario : Fr. 0.27000
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BZT52C18-G3-18 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52C18-G3-18-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C18-G3-18 |
Descrizione | DIODE ZENER 18V 410MW SOD123 |
Tempi di consegna standard del produttore | 36 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 18 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Impedenza (max) (Zzt) 45 Ohms |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 14 V |
Serie | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Stato componente Attivo | Contenitore/involucro |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Tolleranza ±5% | Codice componente base |
Potenza - Max 410 mW |
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Sostituti (18)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B18-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 15’559 | BZT52B18-E3-08GICT-ND | Fr. 0.36000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21’037 | BZT52B18-E3-18GICT-ND | Fr. 0.36000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 14’750 | 112-BZT52B18-G3-08CT-ND | Fr. 0.30000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B18-G3-18-ND | Fr. 0.04936 | Equivalente parametrico |
| BZT52C18-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 11’908 | BZT52C18-E3-08GICT-ND | Fr. 0.35000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10’000 | Fr. 0.04481 | Fr. 448.10 |
| 20’000 | Fr. 0.04089 | Fr. 817.80 |
| 30’000 | Fr. 0.04007 | Fr. 1’202.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.04481 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.04844 |
