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BZT52C47-HE3-18 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52C47-HE3-18-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C47-HE3-18 |
Descrizione | DIODE ZENER 47V 410MW SOD123 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 47 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 35 V |
Produttore | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Serie | Grado Automobilistico |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Qualifica AEC-Q101 |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Potenza - Max 410 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 97 Ohms |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C47-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C47-HE3_A-18TR-ND | Fr. 0.05278 | Consigliato dal produttore |
| BZT52C47-7-F | Diodes Incorporated | 41’353 | BZT52C47-FDICT-ND | Fr. 0.16000 | Simile |
| BZV55C47 | Microchip Technology | 0 | BZV55C47-ND | Fr. 2.35133 | Simile |
| BZV55C51 | Microchip Technology | 0 | BZV55C51-ND | Fr. 2.35133 | Simile |
| MMSZ47T3G | onsemi | 0 | 488-MMSZ47T3GCT-ND | Fr. 0.12000 | Simile |





