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Diretto
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.12860
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Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.08987
Scheda tecnica
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SMBJ7.0D-M3/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMBJ7.0D-M3/IGITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMBJ7.0D-M3/I |
Descrizione | TVS DIODE 7VWM 11.8VC DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 11,8V Fascetta 50,8 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 50,8 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Applicazioni Uso generale |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo Zener | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Canali unidirezionali 1 | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 7V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Rottura (min) 7,9V | Codice componente base |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 11,8V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ7.0A-M3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ7.0A-M3/5B-ND | Fr. 0.12860 | Diretto |
| SMBJ7.0A-E3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ7.0A-E3/5B-ND | Fr. 0.08987 | Simile |
| P6SMB8.2A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-P6SMB8.2ATR-ND | Fr. 0.10290 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 9’600 | Fr. 0.12093 | Fr. 1’160.93 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.12093 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.13073 |
