Equivalente parametrico
Equivalente parametrico
Equivalente parametrico

VS-8DKH02HM3/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-VS-8DKH02HM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | VS-8DKH02HM3/I |
Descrizione | DIODE ARRAY GP 200V 4A FLATPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Schiera di diodi 2 indipendenti 200 V 4A A montaggio superficiale 8-PowerTDFN |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Serie | Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 200 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Configurazione diodo 2 indipendenti | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia Standard | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 200 V | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 4A | Contenitore del fornitore FlatPAK 5x6 (doppio) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 960 mV @ 4 A | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-8DKH02-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1’353 | VS-8DKH02-M3/HGICT-ND | Fr. 1.27000 | Equivalente parametrico |
| VS-8DKH02-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-VS-8DKH02-M3/ITR-ND | Fr. 0.34166 | Equivalente parametrico |
| VS-8DKH02HM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-8DKH02HM3/HGICT-ND | Fr. 1.45000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6’000 | Fr. 0.41064 | Fr. 2’463.84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.41064 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.44390 |


