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Vishay Siliconix
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Nuovo prodotto
Canale N 1200 V 52 A (Tc) 268W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7L (TO-263 7L)
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MXPQ120A045SE-1GE3

Codice DigiKey
742-MXPQ120A045SE-1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-MXPQ120A045SE-1GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-MXPQ120A045SE-1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
MXPQ120A045SE-1GE3
Descrizione
SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 52 A (Tc) 268W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7L (TO-263 7L)
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,8V a 5mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
82 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+22V, -10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2483 pF @ 800 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
268W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
Contenitore del fornitore
D2PAK-7L (TO-263 7L)
RDSon (max) a Id, Vgs
56mohm a 26A, 18V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MXP120A045SE-T1GE3Vishay Siliconix0742-MXP120A045SE-T1GE3CT-NDFr. 5.14894Equivalente parametrico
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 4.38869Fr. 3’510.95
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.38869
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.74417