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Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 416
Prezzo unitario : Fr. 0.32000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 60V 370mA 510mW A montaggio superficiale SC-70-6
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SI1926DL-T1-E3

Codice DigiKey
SI1926DL-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI1926DL-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI1926DL-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI1926DL-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 370mA 510mW A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
1,4ohm a 340mA, 10V
Produttore
Vishay Siliconix
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1,4nC a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
18,5pF a 30V
Stato componente
Obsoleto
Potenza - Max
510mW
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Contenitore del fornitore
SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
370mA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
TQM2N7002KDCU6 RFGTaiwan Semiconductor Corporation4161801-TQM2N7002KDCU6RFGCT-NDFr. 0.32000Simile
Obsoleto
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