Name: SI2367DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2367DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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SI2367DS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2367DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2367DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2367DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2367DS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,8 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 561 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,8 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI2367
RDSon (max) a Id, Vgs 66mohm a 2,5A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.59455

SI2367DS-T1-GE3