SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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Vishay Siliconix

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SI3458DV-T1-E3
Codice DigiKey	SI3458DV-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3458DV-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 3,2 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 3,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	SI3458