Name: SI3460DDV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3460DDV-T1-BE3TR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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SI3460DDV-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI3460DDV-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI3460DDV-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI3460DDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3460DDV-T1-BE3
Descrizione	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,2A (Ta), 7,9A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 666 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,2A (Ta), 7,9A (Tc)	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 5,1A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.59455

SI3460DDV-T1-BE3