SI9407BDY-T1-GE3
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SI4062DY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4062DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4062DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4062DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4062DY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 32,1 A (Tc) 7,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
32,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,2mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3175 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
7,8W (Tc)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
SI4062
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In magazzino: 7’073
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.82000Fr. 1.82
10Fr. 1.16300Fr. 11.63
100Fr. 0.79120Fr. 79.12
500Fr. 0.63194Fr. 315.97
1’000Fr. 0.61139Fr. 611.39
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.52531Fr. 1’313.28
5’000Fr. 0.49950Fr. 2’497.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.96742