
SI4114DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4114DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4114DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4114DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4114DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 20A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 20 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4114DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 95 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3700 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.94000 | Fr. 1.94 |
| 10 | Fr. 1.25100 | Fr. 12.51 |
| 100 | Fr. 0.85440 | Fr. 85.44 |
| 500 | Fr. 0.68452 | Fr. 342.26 |
| 1’000 | Fr. 0.67320 | Fr. 673.20 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.55000 | Fr. 1’375.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.09714 |


