Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

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SI6562CDQ-T1-GE3
Codice DigiKey	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI6562CDQ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 6,7 A, 6,1 A 1,6W, 1,7W A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI6562CDQ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 5,7A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 850pF a 10V
Stato componente Data di acquisto finale	Potenza - Max 1,6W, 1,7W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,7 A, 6,1 A	Codice componente base SI6562

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Data ultima possibilità d'acquisto: 31.10.2026

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)