
SI6913DQ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI6913DQ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI6913DQ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI6913DQ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,9A 830mW A montaggio superficiale 8-TSSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,9A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 21mohm a 5,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 400µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 830mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-TSSOP | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.30000 | Fr. 2.30 |
| 10 | Fr. 1.23500 | Fr. 12.35 |
| 100 | Fr. 0.84460 | Fr. 84.46 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.69000 | Fr. 2’070.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.48630 |





