SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix | Array FET, MOSFET

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Diodes Incorporated

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SI6926ADQ-T1-E3
Codice DigiKey	SI6926ADQ-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI6926ADQ-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI6926ADQ-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI6926ADQ-T1-E3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 4,1A 830mW A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 4,5A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10,5nC a 4,5V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 830mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1A	Codice componente base SI6926

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMG8822UTS-13	Diodes Incorporated	2’335	31-DMG8822UTS-13CT-ND	Fr. 0.66000	Simile

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