Name: SIDR5102EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5102EP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.55649 CHF
Availability: InStock

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SIDR5102EP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIDR5102EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIDR5102EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIDR5102EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIDR5102EP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 28,2A (Ta), 126A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIDR5102EP-T1-RE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2850 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8DC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28,2A (Ta), 126A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Codice componente base SIDR5102
RDSon (max) a Id, Vgs 4,1mohm a 20A, 10V

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In magazzino: 4’370

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 1.04035	Fr. 3’121.05
6’000	Fr. 1.03404	Fr. 6’204.24

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.55649

SIDR5102EP-T1-RE3