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SIHB12N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.76368
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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

Codice DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHB12N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
937 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
147W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SIHB12
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Quantità
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Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.25000Fr. 2.25
10Fr. 1.45400Fr. 14.54
100Fr. 1.00070Fr. 100.07
500Fr. 0.80704Fr. 403.52
1’000Fr. 0.74479Fr. 744.79
2’000Fr. 0.69247Fr. 1’384.94
5’000Fr. 0.67000Fr. 3’350.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.25000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.43225