Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIHD6N80E-GE3
Codice DigiKey	SIHD6N80E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHD6N80E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	E
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	940mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	827 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SIHD6

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 1’972

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Sfuso