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SIHP24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP24N65EF-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP24N65EF-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP24N65EF-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 122 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2656 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 156mohm a 12A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R160P6XKSA1-ND | Fr. 3.39000 | Simile |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFDXKSA1-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R190E6XKSA1-ND | Fr. 1.33324 | Simile |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | Fr. 3.80353 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.04488 | Fr. 2’044.88 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.04488 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.21052 |
