Name: SIR500DP-T1-UE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND
Price: 2.42144 CHF
Availability: InStock

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SIR500DP-T1-UE3
Codice DigiKey	742-SIR500DP-T1-UE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR500DP-T1-UE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR500DP-T1-UE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR500DP-T1-UE3
Descrizione	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 85,9A (Ta), 350,8A (Tc) 6,25W (Ta), 104,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,47mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 180 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +16V, -12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8960 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104,1W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 85,9A (Ta), 350,8A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SIDR500EP-T1-RE3	Vishay Siliconix	4’067	742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND	Fr. 4.07000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.24000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.42144

SIR500DP-T1-UE3