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SIRB40DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRB40DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 40 A (Tc) 46,2W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRB40DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45nC a 4,5V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4290pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 46,2W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,25mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 3’470
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.96000 | Fr. 1.96 |
| 10 | Fr. 1.26100 | Fr. 12.61 |
| 100 | Fr. 0.85950 | Fr. 85.95 |
| 500 | Fr. 0.68770 | Fr. 343.85 |
| 1’000 | Fr. 0.63245 | Fr. 632.45 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.56233 | Fr. 1’686.99 |
| 6’000 | Fr. 0.52705 | Fr. 3’162.30 |
| 9’000 | Fr. 0.51258 | Fr. 4’613.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.96000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.11876 |
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